سامسونگ از حافظه جدید GDDR7 با سرعت ۳۶ گیگابیت بر ثانیه رونمایی کرد. این حافظه ۵۰ درصد سرعت بیشتری نسبت به حافظه 24Gbps GDDR6X شرکت میکرون دارد.
سامسونگ با برگزاری مراسمی، از نسل جدید حافظه‌های گرافیکی خود رونمایی کرد. این شرکت همچمین از برنامه‌های آینده خود برای بهبود عملکرد دیتاسنترها، سرورها و بخش‌های موبایل، گیمینگ و خودرو گفت. سامسونگ امسال ظرفیت حافظه رم DDR5 را افزایش خواهد داد و همچنین فناوری جدیدی برای حافظه V-NAND ارایه خواهد کرد.
سامسونگ در بخش حافظه DRAM در حال توسعه فناوری تولید 1b است که به‌لطف تکنولوژی‌هایی مثل High-K شاهد پروسه فراتر از ۱۰ نانومتر خواهیم بود. این شرکت همچنین دانسیته حافظه‌های DDR5 را به ۳۲ گیگابیت خواهد رساند که دو برابر بیشتر از مدل‌های ۱۶ گیگابیت و ۳۳ درصد بیشتر از حافظه‌های ۲۴ گیگابیت خواهد بود.
از طرفی، ما سال آینده شاهد افزایش استفاده از حافظه‌های 8.5Gbps LPDDR5X DRAM در گوشی‌های موبایل خواهیم بود. حافظه‌هایی از نوع HBM-PIM, AXDIMM و CXL نیز در بخش‌هایی مثل هوش مصنوعی و شبکه عصبی توسعه بیشتری خواهند یافت.
انتظار می‌رود نسل بعدی کارت های گرافیکی با معرفی حافظه جدید GDDR7 سامسونگ سریع‌تر بشوند. این حافظه با داشتن ۳۸۴ بیت باس قادر به ارائه پهنای باند ۱.۷ ترابایت بر ثانیه خواهد بود.
سامسونگ همچنین درباره بهبود حافظه‌های V-NAND صحبت کرد و قرار است حافظه یک ترابیتی TLC V-NAND را اواخر ۲۰۲۲ عرضه کند و از طرفی، نسل نهم V-NAND هم‌اکنون در حال توسعه است و انتظار می‌رود اولین محصولات آن در سال ۲۰۲۴ روانه بازار شود. سامسونگ همچنین قصد دارد یک حافظه V-NAND هزار لایه‌ای تا سال ۲۰۳۰ تولید کند.