سامسونگ یکی از بزرگترین سازندگان تراشه‌های موبایلی دنیاست و حالا قصد دارد تولید انبوه تراشه‌های ٣ نانومتری را قبل از شروع تابستان آغاز کند.
سامسونگ پیش‌بینی کرده بود که تولید انبوه این تراشه‌ها را از نیمه نخست امسال و نسل دوم آن‌ها را از سال ۲۰۲۳ آغاز خواهد کرد. این شرکت این هفته در جمع سرمایه‌گذاران اعلام کرد که در هفته‌های آینده تولید انبوه تراشه‌های ٣ نانومتری را استارت خواهد زد.
به این ترتیب، سامسونگ اولین شرکت سازنده تراشه در دنیا خواهد بود که تراشه‌های ٣ نانومتری می‌سازد و همچنین اولین شرکتی خواهد بود که از ترانزیستورهای GAAFET استفاده خواهد کرد. سامسونگ اسم ترانزیستورهای GAAFET خود در لیتوگرافی ۳ نانومتری را MBCFET گذاشته است.
این شرکت مزیت ترانزیستورهای MBCFET را نسبت به ترانزستورهای 7nm FinFET در توان کار کردن آن‌ها در ولتاژهای زیر ۰.۷۵ ولتاژ می‌داند که این ویژگی باعث می‌شود تا میزان مصرف انرژی آن‌ها ۵۰ درصد کاهش و عملکردشان ۳۰ درصد بهبود یابد.
هرچند تراکم لیتوگرافی ۳ نانومتری سامسونگ ممکن است در نهایت در حد لیتوگرافی ۴ نانومتری اینتل و ۵ نانومتری TSMC باشد، اما این فناوری به‌لطف کانال‌های عریض‌تر و نشت جریان کمتر، عملکرد بهتری خواهد داشت. اما مهمترین مسئله در مورد فناوری ۳ نانومتری بازدهی آن خواهد بود که بزرگترین مشکل لیتوگرافی ۴ نانومتری سامسونگ نیز بوده است. همین مشکل باعث شد تا شرکتی مثل کوالکام برای ساخت پردازنده‌های آینده خود به سراغ TSMCبرود.
در حال حاضر، شرکت‌هایی مانند اینتل و TSMC نیز به فکر استفاده از ترانزیستورهای GAAFET در سال آینده هستند که البته بسیار هزینه‌بر نیز خواهد بود.
با این حال، سامسونگ گفته است که سازگاری ترانزیستورهای MBCFET با تجهیزات و پروسه‌های ساخت ترانزیستورهای FinFET نه‌تنها توسعه آن‌ها را شتاب بخشیده بلکه هزینه‌ها را نیز تحت کنترل درآورده است.
سامسونگ در بخش چیپ‌های حافظه نیز عملکرد خوبی از نظر فروش داشته است و انتظار دارد در ماه‌های آینده تقاضا برای چیپ‌های DRAM و NAND این شرکت همچنان بالا باشد. سود عملیاتی سامسونگ در سه ماهه منتهی به ماه مارس ۱۱.۲ میلیارد دلار بوده و بیش از نصف آن از واحد چیپ بوده است.