ظاهرا هواوی در حال توسعه تراشه‌های 3 نانومتری است. این شرکت با وجود تحریم‌های شدید آمریکا، به نظر می‌رسد با جدیت در حال پیشبرد اهداف خود در زمینه ساخت تراشه است. طبق گزارش‌ها، هواوی در حال ساخت دو تراشه پیشرفته 3 نانومتری است. اخیرا فاش شده بود که هواوی همچنین در حال توسعه یک حسگر دوربین اختصاصی برای گوشی‌های پرچمدار بعدی خود است.
تراشه‌های 3 نانومتری هواوی در راه هستند
بر اساس اطلاعات فاش شده، هواوی در حال بررسی دو رویکرد مختلف برای تراشه 3 نانومتری است: طراحی بر پایه ترانزیستورهای Gate-All-Around (GAA) FET و ساخت نیمه‌رساناهای پیشرفته مبتنی بر نانولوله‌های کربنی. رونمایی از این طرح‌ها برای سال 2026 میلادی برنامه‌ریزی شده است. در صورت موفقیت، این اقدام می‌تواند صنعت جهانی تراشه را دستخوش تغییرات بنیادین کند.
گزارشی از رسانه تایوانی UDN، رویکرد دو گانه هواوی در تولید تراشه‌های 3 نانومتری را فاش کرده است. این رویکرد بر پایه موفقیت اخیر این شرکت چینی در ساخت تراشه 5 نانومتری Kirin X90 بنا شده که توسط شرکت SMIC و بدون استفاده از دستگاه‌های EUV شرکت ASML تولید شده است. SMIC برای ساخت این تراشه، به جای EUV از لیتوگرافی قدیمی‌تر DUV به همراه تکنیک چندالگویی استفاده کرد. این روش، پیچیده و پرهزینه بود و تنها به بازدهی 20 درصدی منجر شد که در مقایسه با فناوری شرکت‌های پیشرو مانند TSMC، بسیار پایین محسوب می‌شود.
ظاهراً نمونه اولیه تراشه 3 نانومتری GAA FET که نوید بهبود کارایی و عملکرد در مقایسه با تراشه‌های Kirin قبلی را می‌دهد، در سال 2026 ارائه خواهد شد و تولید انبوه آن در صورت موفقیت پروژه، برای سال 2027 هدف‌گذاری شده است. در همین حال، هواوی مشغول آزمایش تراشه‌های 3 نانومتری بر پایه نانولوله‌های کربنی است. این فناوری می‌تواند جهش بزرگی نسبت به سیلیکون‌های سنتی ایجاد کند، هرچند که پیشرفت در این زمینه همچنان نامعلوم است.
بازده فناوری 3 نانومتری ممکن است به دلیل محدودیت‌های DUV حتی کمتر شود و در نتیجه، تولید انبوه آن را گران و دشوار کند. هواوی سرمایه‌گذاری عظیمی به مبلغ 37 میلیارد دلار روی فناوری EUV داخلی انجام داده و برخی از کارشناسان ادعا می‌کنند که این فناوری تا سال 2026 آماده خواهد شد. پست‌هایی در شبکه اجتماعی ایکس (توییتر سابق) از سوی کاربر zephyr_z9@ نیز این خوش‌بینی را تقویت می‌کند، اما افرادی مانند مهندس سابق ASML با نام کاربری lithos_graphein@ بر این باورند که تسلط ASML در زمینه EUV تقریباً شکست‌ناپذیر است. هواوی هرگونه پیشرفت در زمینه EUV را همانند تراشه Kirin 9010 که به شدت تحت حفاظت بود، محرمانه نگه داشته است.
تلاش هواوی برای دستیابی به فناوری 3 نانومتری، با بهره‌گیری از GAA و به طور بالقوه نانولوله‌های کربنی، می‌تواند فاصله این شرکت را با TSMC و سامسونگ (که از EUV برای تولید تراشه‌های 3 نانومتری استفاده می‌کنند)، کاهش دهد. اگر هواوی در این مسیر موفق شود، می‌تواند نقش چین را در رقابت تولید تراشه‌ها بازتعریف کند. اما بازده پایین و وابستگی به DUV همچنان موانع اصلی محسوب می‌شوند.
پیش‌بینی می‌شود با نزدیک شدن به سال 2026، اطلاعات بیشتری در این خصوص منتشر شود.