سامسونگ از اولین حافظه DDR5 DRAM دنیا با لیتوگرافی ۱۲ نانومتری رونمایی کرد. مدل قبلی این حافظه بر پایه فناوری ۱۴ نانومتری EUV ساخته شده بود.
سامسونگ می‌گوید حافظه جدید DDR5 DRAM با محصولات شرکت AMD سازگار هستند و برای استفاده با پلتفرم‌های Zen این شرکت بهینه‌سازی شده‌اند.
رییس واحد DRAM سامسونگ می‌گوید معرفی حافظه جدید DDR5 DRAM با فناوری پیشرفته ۱۲ نانومتری باعث خواهد شد تا میزان استفاده از حافظه‌های نوع DDR5 DRAM در بازار افزایش یابد.
حافظه جدید سامسونگ با بهره‌گیری از یک متریال جدید ساخته شده که ظرفیت سلولی را افزایش خواهد داد و مشخصه‌های مداری را بهبود خواهد بخشید. این حافظه نیز با استفاده از لیتوگرافی EUV ساخته شده که منجر به دانسیته بالاتر دای (Die) و ۲۰ درصد ویفر بیشتر می‌شود. حافظه جدید ۲۳ درصد انرژی کمتری مصرف می‌کند و یک گزینه بسیار مناسبی برای شرکت‌های IT خواهد بود.
گفتنی است سامسونگ اخیرا سریع‌ترین حافظه رم LPDDR5X دنیا را نیز معرفی کرده بود. این حافظه دارای سرعت انتقال ۸.۵ گیگابیت بر ثانیه بوده و با استفاده از فناوری ۱۴ نانومتری کوالکام بر پایه پلتفرم اسنپ‌دراگون ساخته شده است.
حافظه جدید DDR5 DRAM این شرکت قرار است از سال ۲۰۲۳ به بازار عرضه شود و باید ببینیم که عملکرد آن چگونه خواهد بود.